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碳化硅 (SiC)

安森美(onsemi)EliteSiC系列碳化硅产品,以及端到端的碳化硅生产能力,为您提供具备出色性能和坚实品质的产品。

按技术分类

碳化硅 (SiC)二极管
采用全新技术,提供比硅材质更胜一筹的开关性能和可靠性。
 
碳化硅 (SiC) MOSFET
高速且坚固,并具备效率高、尺寸小、成本低的系统优势。
 

功率模块

碳化硅(SiC)模块

包括碳化硅MOSFET和碳化硅二极管。升压模块可运用在DC-DC级太阳能逆变器。这些模块使用碳化硅MOSFET和碳化硅二极管,额定电压1200V。

 
硅/碳化硅混合模块

包括IGBT、硅二极管和碳化硅二极管,可运用在DC-AC级太阳能。

 

完整的碳化硅端到端供应链

我们内部具有从衬底组装到封装的完整供应链条,保障对客户的碳化硅器件供应,支持可持续生态系统的迅速增长。

碳化硅端到端生产能力,助力可持续未来

我们端到端的生产能力有助于推动可持续未来。安森美(onsemi)EliteSiC系列碳化硅产品,以及端到端的碳化硅生产能力,为您提供具备出色性能和坚实品质的产品。

EliteSiC碳化硅MOSFET系列

系列

子系列

650 V

900 V

1200 V

1700 V

主要应用

M1

M1

 

 

     

M2

M2

 

 

   

M3

M3S

 

 

 

  

 

M3T

 

 

 

  

系列名称

电压

优化

最佳应用

M1

1200V, 1700V

大尺寸晶片低电阻


开关损耗和传导损耗的平衡

 

  • DC-DC固态继电器
  • 主驱&电机驱动器
  • 硬开关应用

 

M2

650V, 750V, 1200V

低速应用的最低RDS(ON)

 

  • DC-DC固态继电器
  • 主驱&电机驱动器

 

M3

1200V

配备15V-18V栅极驱动器的快速开关应用

 

  • 硬开关应用
  • LLC谐振应用

 

EliteSiC碳化硅二极管系列

系列名称

650 V

900 V

1200 V

1700 V

主要应用

D1

 

    

D2

 

 

 

  

D3

 

 

 

    

系列名称

电压

优化

最佳应用

D1

650V, 1200V, 1700V

大尺寸晶片低电阻以及最高浪涌电流额定值

 

  • Vienna整流器输入级

 

D2

650V

低Vf的高速开关

 

  • PFC级
  • 输出整流

 

D3

1200V

低Vf的高速开关

 

  • PFC级
  • 输出整流

 

EliteSiC碳化硅MOSFET

更快的开关,更紧凑的终端产品

相比于行业领先的同类产品,1200V M3S EliteSiC MOSFET可减少硬开关应用中高达20%的功率损耗

EliteSiC碳化硅模块

全碳化硅和混合碳化硅模块

我们优化的封装工艺为您带来:

  • 卓越的性能
  • 比分立器件更低的热阻
  • 易于安装的封装以适应行业标准的引脚

 

 

  • 各办事处的地址
  • 英倍朗 | 广州
  • 联系人: 刘总 13539924866
  • 广州市天河区珠村东环路99-1号218室
  • 英倍朗 | 江苏
  • 联系人:曹总 18666465258
  • 江苏省苏州市高新区珠江路511号
  • 英倍朗 | 湖南
  • 联系人:张军 15388914749
  • 湖南省长沙市岳麓区潇湘中路靳江社区二期26栋101单元701
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