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在5G通信、数据中心、工业电源、充电桩和车载电源等应用中，小型化、轻量化要求功率器件具备更高的开关频率、更小的死区时间，而系统复杂化与高压应用则对隔离器件的可靠性提出了更高要求。对此，我们提供低传播延时、高可靠性、高集成度、基础型/增强型隔离的隔离驱动芯片解决方案，特别适合当前开关电源设计智能化、小型化的趋势。
纳芯微的隔离半桥驱动芯片具有高可靠性，高集成度，高速开关等特性。可用于驱动IGBT、MOSFET、SiC和GaN等各种功率器件。基于NOVOSENSE的电容隔离技术，能满足基本绝缘或加强绝缘要求，可应用在工业、通信、新能源汽车等不同领域的开关电源设计中。
智能隔离式栅极驱动器能够驱动许多应用中的IGBT，功率MOSFET和SiC MOSFET等功率晶体管，并为其提供保护，使其安全运行。它可提供分离输出，分别控制上升和下降时间，且支持轨到轨输出，并可以提供最大10A/10A的拉灌电流能力。 适用于高可靠性、高功率密度和高效率的开关电源系统、逆变器等系统。
隔离单管驱动器基于NOVOSENSE电容隔离技术，提供通过UL1577、VDE0884、CSA和CQC认证的基本绝缘或增强绝缘产品，共模瞬变抗扰度（CMTI）超过150kV/us。隔离单管驱动器具备宽输出侧电源范围、高耐温、低延时、小脉宽失真等特性，具备有源下拉、有源米勒钳位，适合应用在高可靠性工业和汽车系统中。
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