IGBT模块被运用于主驱和DC-AC级太阳能逆变器、能源储存系统、不间断电源和电机驱动等应用中。

MOSFET模块用于汽车电机驱动和车载充电机应用，额定电压可选40 V、60 V、80 V和650 V，采用超级结技术和感应电阻。除了6-pack、全桥和半桥拓扑结构外，还提供图腾柱PFC拓扑结构。

Si/SiC混合模块包含IGBT、硅二极管和SiC二极管，适用于太阳能逆变器、储能系统和不间断电源的DC-AC级。

高压电源模块，配备集成栅极驱动器，用于消费、工业和汽车应用。提供大范围的三相逆变器模块，涵盖50 W至10 KW的功率水平。提供不同拓扑结构选择，包括PFC和输入桥整流器。

碳化硅模块包括碳化硅MOSFET和碳化硅二极管。升压模块应用于DC-DC级太阳能逆变器。这些模块使用碳化硅MOSFET和碳化硅二极管，额定电压1200V。