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分立器件和功率模块

我们的产品阵容提供全系列高、中、低压功率分立器件以及先进的功率模块方案,包括 IGBT、MOSFET、SiC、Si/SiC 混合模块、二极管、SiC 二极管和智能功率模块 (IPM)。

按技术分类

MOSFET
齐全的低、中、高压和双MOSFET产品组合,适用于各种应用。
 
功率模块
先进的电源模块, 包括 IGBT、MOSFET、SiC、Si/SiC混合模块、二极管、SiC二极管和智能功率模块 (IPM)。
 
碳化硅 (SiC)
安森美(onsemi)EliteSiC系列碳化硅产品,以及端到端的碳化硅生产能力,为您提供具备出色性能和坚实品质的产品。
 
受保护MOSFET
各种上下桥智能分立式保护型器件,提供同类最佳的浪涌电流管理。
 
整流器
包括标准整流器和快速恢复整流器,具有低功率损耗和高效率的理想性能。
 
 
音频晶体管
用于高功率音频电路应用的音频晶体管。
 
达林顿晶体管
用于通用放大器和低速开关应用的达林顿晶体管和晶体管对。
 
ESD保护二极管
专门用于提供ESD和浪涌保护的保护二极管和阵列。
 
通用型低VCE(sat)晶体管
齐全的双极NPN、PNP和互补晶体管,包括低 VCE(sat) 晶体管。
 
数字晶体管(BRT)
具有集成偏置功能的偏置电阻晶体管(BRT),用于取代单个器件及其外部电阻偏置网络。
 
 
小信号开关二极管
高速、小信号开关二极管产品组合,通用于各类应用。
 
齐纳二极管
专为稳压电路设计,提供广泛的工作电压和额定功率。
 
RF晶体管
专门适用于高频和通用放大器应用的射频(RF)晶体管。
 
RF二极管
用于高频应用的射频(RF)二极管产品组合,包括PIN二极管、肖特基势垒二极管和变容二极管。
 
单片微波集成电路(MMIC)
单片微波集成电路(MMIC)射频放大器和混频器,提供平坦度和高增益。
 
IGBT
绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 在高性能电源转换应用中提供最高水平的可靠性。
 
 
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  • 英倍朗 | 广州
  • 联系人: 刘总 13539924866
  • 广州市天河区珠村东环路99-1号218室
  • 英倍朗 | 江苏
  • 联系人:曹总 18666465258
  • 江苏省苏州市高新区珠江路511号
  • 英倍朗 | 湖南
  • 联系人:张军 15388914749
  • 湖南省长沙市岳麓区潇湘中路靳江社区二期26栋101单元701
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